光刻機攪局者終現身，5nm邁向2nm的突破！

今天，幾乎所有的廠家都在制造晶片，特別是在比較高級的全微影制程中，光刻制程更是如此。

光刻機和刻蝕機，是光刻過程中不可或缺的一部分，而光刻機則是最關鍵的一環，因爲門檻高，研發困難，供應鏈複雜，所以價格也是整個行業中最貴的。

另外，目前世界上擁有光刻機能力的廠商僅有四個，而7 nm及以上制程的 EUV光刻機，也只有 ASML一家。

ASML公司具有上遊和下遊的産業鏈，以及極紫外光刻技術的相關技術.可以說，對于光刻機廠家來說，制造 EUV光刻機是一件非常困難的事情，但 ASML卻是將整個産業鏈的上遊和下遊都囊括了進去。

結果，許多年以來，其它的光刻廠商都繞開極紫外光刻，轉向其它可以達到極紫外光刻同樣性能的工藝。

你也許知道的科技有納米壓印， BLE, X光， DSA。

上述四種方法均被視爲突破7 nm及更短波長範圍內最有希望突破超紫外鎖頻（EUVLock-in）的發展趨勢。

NIL奈米印刷是目前最尖端的制程，數年之前，日本光刻機廠商佳能曾和 SK海力士聯手開發過 NIL奈米壓印記憶體晶片，但兩者均需應用在65奈米制程上。

佳能公司在去年發布了一款新型的納米壓印半導體器件FPA-1200NZ2C，並稱這種器件不需要 EUV技術就可以制造5 nm晶片。

佳能近日再次強調，FPA-1200NZ2C nm光刻設備，其生産價格只有 EUV光刻的10%，功耗也只有 EUV光刻的10%。

另外，與 EUV光刻相比，在制造過程中，奈米印刷機與附屬裝置的制造費用可節省約四成。

佳能同時稱，該公司還將持續進行産品更新，希望在2026年之前，公司可以避開極紫外光刻技術，制造出2 nm制程的産品。

不過，既然FPA-1200NZ2C納米印刷機還沒有完全投入生産，我也不知道佳能是否只是在說大話，或者說它確實已經超出了它的能力範圍。

與此同時，有行業人士指出，目前的納米印刷工藝，良品率和成品率都遠低于 EUV，因此並不適用于大規模的集成電路，而是適用于小型集成電路。

但可以肯定的是，一旦該技術量産，將會給 EUV光刻帶來極大的沖擊，從而帶來一場革命性的變革。

雖然因爲禁止，我們現在還無法購買，但是這起碼讓我們有了一個新的研究思路，或許我們就不用在 EUV上浪費時間了。