SK海力士HBM負責人Kim Gwi-wook表示，當前業界HBM技術已經到了新的水平，行業需求促使SK海力士將加速開發過程，最早在2026年推出HBM4E內存，相關內存帶寬將是HBM4的1.4倍。

除了 HBM4E 外，有消息稱 SK 海力士計劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 産品，而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。

目前的主流 HBM3E 産品均采用 24Gb DRAM 顆粒，這使得 HBM3E 內存可在 8 層堆疊下達到 24GB 單堆棧容量，如果采用 12 層堆疊，那 HBM3E 堆棧就可達到 36GB。

未來的 HBM4E 內存更新到 32Gb DRAM 裸片後，12 層堆疊版本就能實現 48GB 單顆容量，16 層版本更是可達到 64GB 的超大規模，爲 AI 用例創造更多可能。

Kim Kwi Wook 預計，HBM4E 內存可較 HBM4 在帶寬上提升 40%、密度提升 30%，同時能效也提高 30%。HBM4 / HBM4E 的開發“加速過程”無疑顯示了 AI 領域巨頭對高性能內存的強勁需求，日益強大的 AI 處理器需要更高內存帶寬的輔助。