新技術出現：BEUV技術接續EUV光刻機！
衆所周知，近幾十年來，光刻技術已成爲芯片生産的主要技術。光源用于將芯片的電路圖投射到硅晶片上，而最重要的設備就是光刻機。
光刻技術在芯片生産過程中占有重要地位，直接關系到芯片的生産水平和性能。
40 多個專業領域，如光刻技術、集成物理、光學、精密儀器、聚合物物理和化學、數學、材料、自動化、流體力學、高精度環境控制和軟件。
換句話說，世界上有能力生産光刻機的公司只有 ASML、尼康、佳能和上海微電子，其中 ASML 壟斷了 90% 的市場。
光刻技術分爲三個主要方向，第一個方向是波長，雖然波長縮短了，但技術卻發展迅速，從 435 納米到 365 納米、248 納米，然後是幹法，再到 193 納米，最後是 13.5 納米的 EUV。
選定光源後，有必要增大 NA 光刻透鏡的數值孔徑，使光束以更大的能量通過透鏡，從而提高圖像的效率和分辨率。
第三個方面是降低平版印刷工藝中的工藝系數，這是決定光源和系統質量的重要工藝參數。
目前，國際上的極紫外光刻技術主要使用 13.5 nm 和 NA0.55 nm 兩種光源，即使成功，難度也很大，成本也很高。
與此同時，極紫外光刻技術已經邁過了難以超越的 0.25 門檻，因此極紫外光刻技術正面臨著巨大的挑戰。
因此，ASML 表示，由于光刻工藝中的 NA 值已達到臨界水平，進一步提高 EUV 光刻質量將非常困難。
因此，光刻技術的下一步發展仍然取決于光源的波長，但我們知道，光刻工藝會隨著波長的變化而變化。
G 線、I 線、KrF、ArF、EUV 這三個階段主要是光源升級，隨後是各種光源的升級、驅動電路的更換以及光刻工藝各種因素的改變。
但是，當波長超過 13.5 納米時，波長是如何變化的呢？科學家們發現了一種名爲 BEUV 的新方法。
該項目建議使用比 EUV 更短的 13.5 納米光源，以提高聚焦深度和處理精度。
通過使用波長爲 6. Xnm 的波長，還可以在重新校准之前提高光刻工藝的 NA 系數。
專家預測，BEUV 光刻技術將在 2035 年後完全取代 EUV，只有 BEUV 光刻技術才能滿足 1 納米以下工藝的要求。
當 BEUV 技術到來時，我們不應該急于求成，等待別人趕上我們的供應鏈，從而達到國際標准，而不是讓光刻技術卡住我們的喉嚨，我們只能眼睜睜地看著。
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